Der neue 8-Mbit-FRAM aus dem Hause Fujitsu soll bis zu 100 Trillionen Lese- und Schreibzyklen ermöglichen. Der nicht-flüchtige Speicher könnte schon bald den bisher üblichen SRAM in Industrieanlagen ablösen.
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Experten sind vom neuen Fujitsu-8-Mbit-FRAM begeistert
Seit mehr als 20 Jahren werden verschiedene Versionen von FRAM verwendet. Doch jetzt kommt Fujitsu mit einem ganz neuen 8-Mbit-FRAM daher und überzeugt die Experten von diesem nicht-flüchtigen Speicher mit paralleler Schnittstelle. In allen Einsatzbereichen, in denen es auf Tempo ankommt, findet sich ein optimaler Einsatzbereich für den 8-Mbit-FRAM. Auch wenn Vorgängerversionen schon lange in der Anwendung befindlich sind, so kann diese Variante doch endlich überzeugen.
Denn: Neben der hohen Leistungsfähigkeit und der Möglichkeit, bis zu 100 Trillionen Lese- und Schreibzyklen durchzuführen, wird Betriebsstrom ebenso wie der Gesamtstrom eingespart. Bis zu 10 Prozent weniger Betriebsstrom soll der neue 8-Mbit-FRAM verbrauchen.
Bislang sieht es so aus, als könnte der neuen FRAM den bisher eingesetzten SRAM auch in Industrieanlagen gänzlich ablösen.
Video: Fujitsu Launches New 8Mbit FRAM Guaranteeing Writing Endurance up to 100 Trillion Times
Der 8-Mbit-FRAM im Überblick
Die Entwicklung des neuen 8-Mbit-FRAM begann dort, wo die bisherige Leistung des FRAM endete. Herausgekommen sind bei der gesamten Entwicklung überragende Eigenschaften bezüglich der Lese- und Schreibdauer dieses Speichers. Die Erkenntnisse aus über 20 Jahren Anwendung des nicht-flüchtigen Speichers flossen mit ein und brachten einen FRAM hervor, der bisher einmalig ist.
Er ist kompatibel zu SRAM, besonders lese- und schreibschnell, bietet eine parallele Schnittstelle und eröffnet die Möglichkeit, auf einen Datenpuffer zu verzichten. Denkbar ist aktuell der Einsatz nicht nur in der Luft- und Raumfahrttechnik, sondern auch in modernen Industrieanlagen, in denen es auf Genauigkeit, Qualität und Effizienz ankommt.
Der Fujitsu 8-Mbit-FRAM bietet einen breiten Versorgungsspannungsbereich, der zwischen 1,8 und 3,6 Volt liegt. Im Fast-Page-Modus liegt die Nutzungsgeschwindigkeit bei etwa 25 Nanosekunden. Erwähnenswert sind überdies der maximale Schreibstrom von nur 18 mA sowie der maximale Strombedarf im Stand-by-Modus von 150 µA. Damit ist dieser Strombedarf nur halb so hoch wie üblich.
Verwendet wurde für den 8-Mbit-FRAM ein vergleichbares Gehäuse wie bei der 4-Mbit-Variante: Das 44-polige TSOP-Gehäuse ist nun Standard.
Die Datensicherungsbatterie kann nun entfallen und wird nicht mehr wie bei SRAM standardmäßig benötigt. Wichtiges Detail: Schnittstellen- und PCB-Design müssen nicht mehr angepasst werden, Einschränkungen sind hier nicht zu erwarten. Damit bietet der neue 8-Mbit-FRAM alle Vorteile, die auch der SRAM zeigte, übertrifft diese aber noch um ein Vielfaches und dürfte daher überall dort zur Anwendung kommen, wo es auf Tempo und Genauigkeit ankommt. Unternehmen, die auf eine Kostenminimierung angewiesen sind, werden die Vorteile des 8-Mbit-FRAM zu schätzen wissen.
Über Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited
Der gesamte japanische Technologiekonzern, wobei die Fujitsu Semiconductor Memory Solution Ltd. ein Tochterunternehmen des Konzerns ist, setzt auf die Entwicklung moderner Produkte im Sinne der Nachhaltigkeit. Dafür werden auch die Wünsche der Anwender berücksichtigt, die laut nach einer möglichst großen Reduzierung des CO2-Ausstoßes rufen.
Mit dem neuen 8-Mbit-FRAM ist dies dem Hersteller gelungen. Auch die Punkte Stromverbrauch und Kostenreduzierung werden durch Fujitsu berücksichtigt. Das Unternehmen hat es sich zum Ziel gesetzt, umweltfreundliche Speicherprodukte zu entwickeln.
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